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日前，上海寶冶安裝工程公司施工承建的國家存儲器一期二階段中低壓配電系統(tǒng)工程第一批中壓柜與一期供電系統(tǒng)并網(wǎng)，成功受電20kV，為后續(xù)設(shè)備的高、低壓供配電及系統(tǒng)調(diào)試奠定基礎(chǔ)，終端機(jī)臺即將投入使用。
為了確保車間正常生產(chǎn)，保障供電系統(tǒng)的連續(xù)性和穩(wěn)定性，此次并網(wǎng)施工的斷電施工調(diào)試時(shí)間不足24小時(shí)。上海寶冶安裝工程公司要在6天完成36臺中壓柜的安裝調(diào)試，與一期供電系統(tǒng)并網(wǎng)供電。面對工期緊、任務(wù)重、技術(shù)要求高等困難，項(xiàng)目部統(tǒng)籌策劃，提前完成勘測現(xiàn)場、熟悉設(shè)備、確定方案等工序，并發(fā)揮多年來電氣盤柜“預(yù)安裝”的施工工法技術(shù)，在并網(wǎng)施工前，已將盤柜斷路器耐壓、分合閘等試驗(yàn)做完，待設(shè)備就位母排連接完成、耐壓試驗(yàn)合格即刻并網(wǎng)受電，一次成功。
國家存儲器基地項(xiàng)目位于武漢東湖高新區(qū)武漢未來科技城，將建設(shè)3座全球單座潔凈面積最大的3D NAND Flash FAB廠房、一座總部研發(fā)大樓和其它若干配套建筑。國家存儲器基地的建立，以芯片制造環(huán)節(jié)為突破口，集存儲器產(chǎn)品設(shè)計(jì)、技術(shù)研發(fā)、晶圓生產(chǎn)與測試、銷售于一體，建成后，還將帶動設(shè)計(jì)、封裝、制造、應(yīng)用等芯片產(chǎn)業(yè)相關(guān)環(huán)節(jié)的發(fā)展，標(biāo)志著芯片自主創(chuàng)新之路邁出可靠而重要的一步。
